FS380/FS360半导体参数测量系统

业界最快的半导体参数化分析仪

高速测量

在IV测试中相同的精度下，测试速度提高2.5倍，对于产线的用户来说，FS系列测量速度可加速至10倍。

模块化架构

PXIe模块化架构可拓展满足用户未来的需求。

高性价比

基于应用优化硬件，只为用户提供适合而非昂贵的硬件。

即插即用

内置LabExpress软件系统，所有测量只需点击几下鼠标，简单易用，无需参阅繁琐说明书。

可拓展CV及1/f噪声测试

支持达到8MHz的CV测试，1/f噪声测试则基于业界最快的噪声测试系统NC300，所有这些构成了真正的半导体参数分析系统。

宽量程

电压范围至 200V, 电流 3A（脉冲，标准1A），精度可达0.1fA

支持Wafer测量

支持连接自动探针台，通过LabExpress高级版本执行自动批量测试任务。

建模仿真

测量数据可一键导入至建模平台软件 MeQLab进行测量后数据分析与器件建模仿真。

现代半导体器件的特性分析的挑战

随着半导体工艺线的不断缩小，我们正处在一个纳米级的半导体时代，随着7nm FinFET 接近投产，器件和电路的性能持续改善，我们面临着在半导体特性分析测试上的一系列新的挑战。

(1). 随着器件的尺寸的持续缩小，会有越来越多的工艺变化，因此需要测量更多的样品来反映这些工艺变化。一般来说需要 50+的样品测试来完成一个可靠的统计，并且是越多越好，所以器件的特性测试的速度要比以前更快。

(2). 随着器件的操作电压持续下降，以及线宽的逐步缩小，器件或电路噪声的影响也持续增加，用户不仅需要测量器件的 IV 或 CV 特性，器件的噪声比如闪烁噪声（1/f 噪声）也是评价半导体器件的重要参数。测量噪声已经是一个足够大的挑战，并且因为噪声也取决于工艺的变化，它也要求测试很多样品来进行统计，所以现在的半导体测试需要一个快速的噪声测量能力。

(3). 即使包括噪声测量在内，也需要进行其他的一些测试，需要示波器，信号发生器甚至 RF 测试仪比如网络分析仪，那么一个模块化的架构，尤其是基于工业标准的 PXI 或 PXIe 机箱是业内需要的， 它可以来实现更多的测试需求， 这也保证了用户的投资是有效的，可以容易地扩展至未来的需求。

(4). 集成化的友好界面的软件来实现即插即用的测量， 它极大地有助于满足有效率的测试， 工程师们无需花费大量时间仪器的使用上或阅读仪器的手册上， 而且对于半导体用户，在数据采集和测量后，数据的分析和器件的模型软件是经常用的，所以具有一个完整的软件包有助于形成一个一站式解决方案。

FS380 & 360 半导体参数分析仪介绍

FS380&360 系统 SMU 基于 NI PXI 模块， 具有高功率， 高精度和高速的特性。在研发中，我们综合了功率，精度和速度来使得该款 SMU 适合于广泛地应用，从制造生产的测试到实验室的器件特性分析，内置的软件提供了交互式的界面，用于参数的特性分析和数据的比较，内置了数百个预定义的测试模板和功能。FS380&360 最多可支持达 20 个 SMU。

产品特征：

1. 快速：在 IV 测量中比其他产品快 2 倍，同时可以保持测试精度，对于产线应用，FS 系列可以快 10 倍；

2. PXI 的模块化结构：易于扩展；

3. 性价比高：我们基于客户的应用优化了硬件，给予用户合适但并非最贵的硬

件来实现测试的功能；

4. 易于操作：用户只需要将测试仪与 DUT（待测器件）相连，集成 PDA 的 FastIV软件，仅仅只需鼠标点击就可以完成绝大多数的器件特性分析；

5. 可扩充至 CV，1/f 噪声测试：支持精密的 CV 测试，频率范围 4Hz-8MHz，1/f噪声测试是基于 NC300，从而实现一个真正完整的“半导体参数分析仪”；

6. 宽范围的应用：高达 200V，3A（脉冲） ，0.1fA 的灵敏度，30fA 的测量精度

7. 支持晶圆图形的测试；

8. 支持器件的建模和仿真（通过 MeQLab）

FS380高精度SMU象限图

FS360高精度SMU象限图

FS336 C-V测试模块

FS336是C-V测试单元，由FS373主机控制，并由 FastLab 测试软件来实现 C-V测量，它的详细指标如下：

带宽范围：4Hz-8MHz；

偏置电压：+/-40V；

电容测量范围

Fast IV测试软件

FS380半导体测试仪集成了FastIV 软件，提供了业内最佳的半导体器件特性分析的用户体验，软件具有下列特征：

简单易用：用户仅需点击鼠标就可以完成器件测量；

提供了样板测量例程，对于绝大多器件提供了测量例程：MOSFET，双极器件，晶体管电容器，电阻器，二极管，变容二极管等；

FS300-快速的1/f噪声特性测试模块

噪声是集成电路和器件的本征特性之一， 对集成电路尤其是模拟集成电路的性能产生重要影响。随着MOS 器件特征尺寸的不断缩小，随着未来7nm FinFET的接近投产，1/f 噪声(Flicker Noise) 已经成为其主要的噪声源，例如1/f 噪声

是造成振荡器相位噪声的主要影响因素，而对于数字电路，1/f 噪声则会导致器件的抖动（jitter）。另外由于 1/f 噪声与器件晶体缺陷息息相关，因此测量1/f噪声也成为监测制程的稳定性和提高器件质量的有效手段。

1/f 噪声已经越来越成为未来器件的设计挑战，特别是对模拟，射频及超大规模数字集成电路、先进存储器件、纳米光电器件，能否准确的在设计中考虑噪声会极大影响器件的性能。在存储器中，影响读写噪声容限。在现代工艺中，工艺的波动也会对器件噪声有明显的影响。另外空间辐射，核辐射会影响半导体器件的表面态，而噪声跟表面态关系紧密，所以通过测试辐射后的器件噪声也可以有效分析辐射对器件性能的影响。

FS300是一个1/f 噪声测试模块，可以加到FS380或FS360系统来实现1/f噪声测量， 它是一个即插即用的模块， 集成了NC300的软件用于噪声特性分析。

* 典型测量时间：10s；

* 带宽：100KHz；

* 最小噪声底：1e -29 A 2 /Hz

* 最大输出电压：20V

* 最大输入电流：10mA

* 高的滚降（roll-off）频率

* 精确的超低电流的噪声测试

* 可选的 RTN（随机电报噪声）的支持

Meqlab参数建模软件

在数据进行测试后， 往往需要参数建模软件对原始数据进行模型参数提取的工作， Meqlab 是一个高性能的用于器件模型参数提取、QA、电路验证的SPICE建模平台。它集成了数据分析和可视化的，快速的 SPICE 仿真，最新的优化算法，易于编程的环境。

Meqlab 可以装在FS系列测试仪上，实现从量测到提取的无缝化链接。