PSAICSwin HALL8686-II/8888-II变温型霍尔效应测试仪
PSAICSwin Hall8686-II/8888-II Temperatured Hall Effect Measurement System
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概述：
HALL系列霍尔效应测试仪具有人性化的软件设计及模块化组件，性能卓越，操作方便；系统结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载流子浓度（N Type & P TYPE）及迁移率等相关参数信息，根据用户测试温度环境的不同，可分为常温/低温型及变温型，型号分别为：HALL8800-II常温(300K)及低温型(77K)、HALL8200高温变温(温度范围：室温至250°C)、HALL8686-II变温型(温度范围：77K-425K)、HALL8888-II变温型(温度范围：77K-773K)；
应用：
主要针对于研究半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，在科学研究，教育以及产品测试等领域有着广泛应用；测试薄膜材料包括Si，Ge，sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料；
技术参数：
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PSAICSwin HALL8686-II/8888-II变温型霍尔效应测试仪
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sample size:5mm x5mm----20mm x20mm
样品尺寸: 5mm x5mm ---20mm x20mm
Sample thickness：~3mm
厚度：~3mm
根据样品尺寸特殊要求可客制化
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Measurement Temperature:：
测试温度范围：
77K~425K(HALL8686-II型)
77K~773K(HALL8888-II型)
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Measurement Material: Semiconductors material such as：Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
测试材质:半导体类材质、如：Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
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Magnet Flux Density: 0.6Tesla
磁场强度: 0.6Tesla
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Magbnet Stability: ±2% over 1 years
稳定性: ±2% （超过一年）
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Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center
均匀度：± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)
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Pole Gap: 20 mm
磁极间隙：20毫米
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Output current:: 1nA~20mA
输出电流：1nA~20mA
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Input voltage range: 1μV to 12V
输入电压范围：1μV ~12V
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Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107
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Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
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Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
载流子浓度(1/cm-3): 107 ~ 1021
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Dimensions(L/W/H) /Weight：
尺寸(L/W/H)/重量：
Main Frame：W400*H360*D200mm ~10kg
主机 W400*H360*D200mm ~10kg
Magnetic Kit：W140*H110mm*D114mm ~5kg
磁装置 W140*H110mm*D114mm ~5kg
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